SJT 11079-1996 掩模对准曝光机通用技术条件
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ID： |
C976F08E375E41C1AB652BA610CF9360 |
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文件大小(MB)： |
0.93 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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GB 11481- 团9,中华人民共和国国家标准,掩模对准曝光机通用技术条件降为 SJ/T 11079-96,General specification of mask alignment and exposure system,1 曷,本标准规定了掩模对准曝光机的术语、技术要求、试验方法、检验规则等,还对供货作了规定,本标准仅适用于接触曝光以及同时具备接触曝光和接近曝光功能的掩模对准曝光机,2引用标准,GBn 193出口机械、电エ、仪器仪表产品包装通用技术条件,GB 191包装储运图示标志,GB 6388运输包装收发货标志,SJ 1276 金属镀层和化学处理层质量检验技术要求,SJ/Z 1793电子エ业专用设备油漆涂层技术条件,3术语,3d接触曝光,涂有光致抗蚀剂的基片表面与预制的掩模版接触,用一定波长、光强的光束进行照射,使基片上光,致抗蚀剂按预制掩模图形曝光的方法。接触方式可分为硬接触和软接触,3.2 接近曝光,涂有光致抗蚀剂的基片表面与预制的掩模版相距适当间隙（一般在几十微米以内）,用一定波长、光,强的光束照射,使基片上光致抗蚀剂按预制掩模图形曝光的方法,3*3掩模对准,在集成电路和其他半导体器件的制作过程中,需要对基片进行多次曝光,以在基片上得到所需要的,图形,这就要求基片上的图形与曝光所需的掩模图形进行有位置精度要求的对准,这ー过程称为掩模对,准。,掩模对准可分为预对准和精确对准,3"预对准,为了进入精确对准的调整范围和提高效率,在精确对准前,使基片与掩模版按一定位置精度要求置,放的过程,3.5 精确对准,基片与掩模版最终的精细对准过程,3.6 曝光‘机,在预制掩模版屏蔽下,利用某种光源对涂有光致抗蚀剂的基片照射,使抗蚀剂感光的一种装置,3.7 曝光分辨率,在集成电路和其他半导体器件制作过程中,曝光分辨率是指在本标准规定环境条件及规定的工艺,条件下,基片曝光、显影后,获得的细小图形的清晰度,通常用曝光后所获得的最细图形线宽表示,中华人民共和国机械电子工业部1 9 8 9 - 0 3 - 2 1批准1 990 - 03-01 实施,1,GB 11481—89,3. 预对准精度,基片与掩模版预对准完成时,基片图形与掩模版图形相对位置允许的最大误差称为预对准精度。以,掩模版和基片上的标记线的初始相对位置的偏差量作为判断依据,3.9 对准精度,在基片与掩模版精确对准完成后,对准标记中心线之间允许的最大误差称为对准精度。以掩模版和,基片上标记中心线的最终相对位置的偏差量作为判断依据,3.10 分离间隙,掩模版与基片表面之间的平行间隙称为分离间隙。分离间隙分为接近曝光所需的曝光间隙,接触曝,光和接近曝光进行掩模对准操作时所需的对准间隙,3.11 扫描部件,在掩模对准过程中,操作者用扫描方式察看基片与掩模版对准状况的机构〇,3.12 半自动掩模对准曝光机,除了掩模对准中的精确对准由人工完成以外,其余动作全部自动完成的掩模对准曝光机（包括自动,输送基片、自动预对准、自动形成分离间隙、自动曝光等）,3.13 有效度,衡量掩模对准曝光机使用期间维持规定功能概率的一个可靠性指标,有效度=,能工作时间,能工作时间+修复时间,义 100%,丒3.14曝光量积分档次,曝光量积分档次为曝光量积分系统的积分数档次。一般情况下,曝光量积分档次设定后,实际曝光,时间随曝光光束的光强度变化而变化,并且,实际曝光时间与光强之积为常数，这ー常数与曝光量积分,档次不相等,但有着对应关系〇,4产品分类,4.1 按曝光时基片与掩模版的相对位置分为：,a.接触式;,b.接近式,4.2 按曝光光源的波谱范围分为:,a.远紫外线;,b.中紫外线;,c.近紫外线,4.3 按可曝基片的最大尺寸分为:,50mm ；,b. 。75mm ；,a 6100mm；,d* 6125mm；,e. 6150mmo,4.4 按自动化程度分为:,a. 手动;,b,半自动;,3 全自动,2,GB 11481 — 89,技木要求,5-1 一般要求,5.1J 掩模对准曝光机应按经规定程序批准的图样及技术文件制造,并应符合本标准的要求,5.1. 2掩模对准曝光机应以曝光分辨率、对准精度、光强不均匀性、生产率及有效度为评定质量的五个,主要指标。并应在具体产品标准和产品说明书中明确规定和说明,5.1. 3掩模对准曝光机的曝光光源中起主要作用的谱线波长、光强及其范围应在具体产品标准及产品,说明书中明确规定和说明,5.1.4掩模对准曝光机的基本规格、参数、所需动カ、外形及安装尺寸应在具体产品标准及产品说明书,中明确规定和说明,5.2环境条件,根据曝光分辨率大小,掩模对准曝光机应分别在表!所列环境条件下正常工作,表1,曝光分辨率,ptm,温 度,C 相对湿度,%,1,洁净度,级,振动幅度,ptm,冬季夏季波动范围,<1. 0,20,V,25,± 0. 5,35.50,10 <2,>1.0-3.0 + 1.0 100 <3,>3B 〇.5. 0 + 2.0 100 <3,>5. 0 + 2. 5 1 000 <4,5.3显微镜,5. 3-1掩模对准曝光机应配备与其曝光分辨率相适应的双目分离视场显微镜。显微镜分辨率、焦深应,符合表2规定,表2 pLUl,曝光分辨率,显 微 镜,分辨率优于焦深,&1. 0 5 >8,〉L 〇.3. 0 1. 0 >12,>3. 0.5. 0 2. 0 N25,>5. 0 4.0 >50,5. 3.2双目分离视场显微镜两物镜及两目镜的中心距应能连续调节ー定距离。调节物镜中心距时,两,物镜最大间距应大于所曝基片上的对准标记线间距。视……
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